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高精度7bit 光延時器芯片

簡要描述：高精度7bit 光延時器芯片切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產

產品型號：梓冠
廠商性質：生產廠家
更新時間：2025-05-10
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品牌	梓冠

硅基單片集成 7bit 可調光延時器芯片

〖簡介Introduction〗

梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術、將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。

〖特性Features〗

n 高速切換

n 高延時精度

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態波導芯片可靠性強

〖應用Applications〗

n 光控相控陣雷達系統、電子對抗系統

〖主要性能指標 Specifications〗

性能指標 Parameter	單位 Unit	典型值 Typical value	備注 Notes
延時位數 Delay bits	/	7	可定制 Can be customized
最小延時步進 Min.step-delay	ps	2	可定制 Can be customized
可調節最大延時量 Adjustable max.delay	ps	254
延時偏差 Delay deviation	ps	≤±0.5	≤±1@max
延時切換時間 Delay switching time	µs	≤1
插入損耗 Insertion loss	dB	14
各延時態損耗差異 Delay state loss difference	dB	±0.5
回波損耗 Return loss	dB	45
芯片尺寸 Chip dimension	mm	19×11×0.7

光延時器芯片

高精度7bit 光延時器芯片

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〖主要性能指標 Specifications〗

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